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射月計畫

《央廣》突破MRAM技術瓶頸 清大前瞻技術有望翻轉未來半導體

下世代記憶體技術大突破,科技部 14 日發表由清華大學團隊開發的前瞻技術,成功以電子自旋流操控磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)中的磁性,突破目前僅能先加熱、外加磁場,再降溫來改變MRAM磁性的方式。這項成果為全球首創,對國內記憶體、半導體產業發展將有決定性的影響力,近期也登上全球材料界頂級期刊「自然材料」(Nature Materials)。